买卖IC网 >> 产品目录 >> NE722S01-T1B 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE722S01-T1B

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET
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制造商 CEL
技术类型 MESFET
频率 4 GHz
增益 12 dB
噪声系数 0.9 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 45 mS
漏源电压 VDS 5 V
闸/源击穿电压 - 5 V
漏极连续电流 120 mA
最大工作温度 + 125 C
功率耗散 250 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SO-1
相关资料
属性
链接
代理商 NE722S01-T1B
NE73435
NE7555
NE76000
NE76038-T1
NE76118-T1
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公司名
电话
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  • NE722S01-T1B 参考价格
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